Product laser

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晶圆激光隐切设备
产品简介
该设备可通过精密控制及激光内部改质技术，使得晶圆切割后裂片扩膜成单颗小芯片，以便实现后续的晶圆封测。
  • 产品特点
  • 应用领域
  • 技术指标
  • 应用案例
产品特点

兼容性好，可同时切割4~12寸及不同厚度的晶圆

支持蓝宝石、硅、碳化硅、钽酸锂等衬底材质

良好的定位精度及重复定位精度

切割质量高，直线度好，无崩边、裂痕

切割区域影响。懈畹馈20?m

应用领域
Si、Sic等衬底材质芯粒切割
技术指标
设备型号 DR-S-WLNC100 DR-S-WLNC300
设备尺寸 2250mm（L） x 1750mm（W） x 2250mm（H）
适用晶圆尺寸 6寸及以下 8寸、12寸
适用晶圆厚度 60?m to 400?m
平台精度 重复定位精度≤ ±1?m；定位精度<±3?m；
直线度 ≤5?m
切割路径宽度 ≤20?m
TTV ≤10?m ≤15?m
应用案例
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